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dc.creatorSILVA, Samara Leandro Matos da-
dc.date.accessioned2019-08-09T16:31:28Z-
dc.date.available2019-08-09T16:31:28Z-
dc.date.issued2019-06-07-
dc.identifier.citationSILVA, Samara Leandro Matos da. Circuladores de grafeno de banda ultralarga para região THz. Orientador: Victor Alexandrovich Dmitriev. 2019. 68 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Instituto de Tecnologia, Universidade Federal do Pará, Belém, 2019. Disponível em: http://repositorio.ufpa.br/jspui/handle/2011/11426 Acesso em:.pt_BR
dc.identifier.urihttp://repositorio.ufpa.br/jspui/handle/2011/11426-
dc.description.abstractNon-reciprocal components are indispensable parts of many microwave and optical systems. In the future, THz communication systems will also require these components. Existing publications show that the bandwidth of graphene-based circulators in the THz region can be 10% to 20% with the use of rather complicated structures. The suggested circulators are formed by a graphene junction with concave pattern connected to the waveguides. Graphene is supported by SiO2/Si layers. The circulating behavior is based on the nonsymmetry of the graphene conductivity tensor that appears due to magnetization by a DC magnetic field normally applied to the plane of the graphene. We discuss the main parameters that define the bandwidth and its influence on it. Circulators have record bandwidth that is twice as high as those published. We have shown that the circulator Y can have the bandwidth of 42% in the frequency range (2.75 ÷ 4.2) THz, with the insulation better than −15 dB and the larger insertion losses that −2 dB, provided by the DC magnetic field polarization of 1.5 T and the chemical potential of 0.15 eV. For the two 4-port circulators we achieved a bandwidth of 44% for the same physical parameters.pt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal do Parápt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.source1 CD-ROMpt_BR
dc.subjectGrafenopt_BR
dc.subjectCirculadorespt_BR
dc.subjectOndas plasmônicaspt_BR
dc.subjectModos de bordapt_BR
dc.subjectGrapheneen
dc.subjectCirculatorsen
dc.subjectPlasmonic wavesen
dc.subjectEdge modesen
dc.titleCirculadores de grafeno de banda ultralarga para região THzpt_BR
dc.title.alternativeUltra Wide Band Graphene Circulators for Region THzpt_BR
dc.typeTesept_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentInstituto de Tecnologiapt_BR
dc.publisher.initialsUFPApt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICApt_BR
dc.contributor.advisor1DMITRIEV, Victor Alexandrovich-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/3139536479960191-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/8338999139075118pt_BR
dc.description.resumoComponentes não recíprocos são partes indispensáveis de muitos sistemas de micro-ondas e ópticos. No futuro, sistemas de comunicação THz também exigirá esses componentes. As publicações existentes mostram que a largura de banda dos circuladores baseados em grafeno na região THz pode ser de 10% a 20% com o uso de estruturas bastante complicadas. Os circuladores sugeridos são formados por uma junção de grafeno com padrão côncavo conectada aos guias de onda. O grafeno é suportado por camadas de SiO2/Si. O comportamento de circulação é baseado na não-simetria do tensor de condutividade do grafeno que aparece devido à magnetização por um campo magnético DC aplicado normalmente ao plano do grafeno. Discutimos os principais parâmetros que definem a largura de banda e sua influência na mesma. Os circuladores possuem largura de banda recorde que é duas vezes mais do que os publicados. Demonstramos que o circulador Y pode ter a largura de banda de 42% na faixa de frequência (2,75 ÷ 4,2) THz, com o isolamento melhor que −15 dB e as perdas de inserção maiores que −2 dB, proporcionadas pela polarização campo magnético DC 1,5 T e o potencial químico de 0,15 eV. Para os dois circuladores de 4 portas conseguimos uma largura de banda de 44% para os mesmos parâmetros físicos.pt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação em Engenharia Elétricapt_BR
dc.subject.linhadepesquisaELETROMAGNETISMO APLICADOpt_BR
dc.subject.areadeconcentracaoTELECOMUNICAÇÕESpt_BR
Appears in Collections:Teses em Engenharia Elétrica (Doutorado) - PPGEE/ITEC

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